图三、高压国产不同实验参数对浆料铸造法制备GO泡沫的影响（a）浆料铸造法四个必要的条件控制范围。

获日中科技交流协会有山兼孝纪念研究奖(1992)、直流香港求是科技基金会杰出青年学者奖(1997)、直流中国分析测试协会科学技术奖一等奖(2005)、教育部高等学校科学技术奖自然科学一等奖(2007)、国家自然科学二等奖(2008, 2017)、中国化学会-阿克苏诺贝尔化学奖(2012)、宝钢优秀教师特等奖(2012)、日本化学会胶体与界面化学年会Lectureship Award(2016)、北京大学方正教师特别奖(2016)、北京市优秀教师(2017)、ACS Nano LectureshipAward(2018)等。电缆得关2014年度中国科学院杰出科技成就奖。

1992年作为中日联合培养的博士生公派去日本东京大学学习，键突师从国际光化学科学家藤岛昭。研究人员研究了在50倍的盐度梯度下，高压国产双极膜的最大功率密度可达~6.2W/m2，比Nafion117高出13%。直流2015年获第三届中国国际纳米科学技术会议奖。

近期代表性成果：电缆得关1、电缆得关Angew：量身定制聚醚砜双极膜用于高功率密度的渗透能发生器中科院理化技术研究所江雷院士，闻利平研究员和Xiang-YuKong从相同的PES前体合成了带负电荷的磺化聚醚砜（PES-SO3H）和带正电荷的咪唑型聚醚砜（PES-OHIM），并采用无溶剂诱导相分离（NIPS）和旋涂（SC）法制备了一系列双极膜。这项工作表明，键突堆积方式对晶体材料的激发态和PL各向异性具有重要影响，表明多晶型纳米结构在多功能纳米光子器件中的巨大应用潜力。

他先后发现了分子间电荷转移激子的限域效应、高压国产多种光物理和光化学性能的尺寸依赖性。

1993年6月回北京大学任教，直流同年晋升教授。由于准二维钙钛矿本身较好的稳定性以及PVC优异的隔离性，电缆得关PEA-PVC样品对水、空气、光照和各类溶液具有良好的耐受性。

键突相关成果以题为HighlyLuminescentandStableGreenQuasi-2DPerovskite-EmbeddedPolymerSheetsbyInkjetPrinting发表在AdvancedFunctionalMaterials上。高压国产(d)在不同溶液中的PEA-PVC样品。

直流(d)MA-PVC和PEA-PVC的PL光谱和紫外可见吸收光谱。除了本报道中的研究工作之外，电缆得关2020年近期相关优质文献推荐：电缆得关1.无机电子传输层上异质原位生长高质量全无机金属卤化物钙钛矿单晶X.Tang,W.Chen,D.Wu*,A.Gao,G.Li,J.Sun,K.Yi,Z.Wang,G.Pang,H.Yang,R.Guo,H.Liu,H.Zhong,M.Huang,R.Chen,P.Müller-Buschbaum,X.W.Sun,andK.Wang*,InSituGrowthofAll-InorganicPerovskiteSingleCrystalArraysonElectronTransportLayer,AdvancedScience,2020,doi:10.1002/advs.201902767.2.简便有效的原位制备Cs4PbBr6/CsPbBr3钙钛矿纳米晶体嵌入聚合物复合薄膜的方法X.Li,Z.Wen,S.Ding,F.Fang,B.Xu,J.Sun,C.Liu,K.Wang,*andX.W.Sun*，FacileInSituFabricationofCs4PbBr6/CsPbBr3NanocompositeContainingPolymerFilmsforUltrawideColorGamutDisplays,AdvancedOpticalMaterials,doi10.1002/adom.202000232.3.喷墨打印无咖啡环CsPbBr3量子点阵列A.Gao,J.Yan,Z.Wang,P.Liu,D.Wu,X.Tang,F.Fang,S.Ding,X.Li,J.Sun,M.Cao,L.Wang,L.Li*,K.Wang*,andX.W.Sun*,PrintableCsPbBr3PerovskiteQuantumDotInkforCoffeeRing-FreeFluorescentMicroarraysUsingInkjetPrinting,Nanoscale,vol.12,no.4,pp.2569-2577,2020.4.应邀在ACSEnergyLetters发表关于InP量子点及其LED器件的综述Z.Wu,P.Liu,W.Zhang,K.Wang,andX.W.Sun*,DevelopmentofInPQuantumDot-BasedLight-EmittingDiodes,ACSEnergyLetters,vol.5,pp.1095−1106,2020.5.近红外-可见全量子点上转换发光器件H.Tang,K.Shi,N.Zhang,Z.Wen,X.Xiao,B.Xu,H.Butt,Z.Pikramenou,K.Wang*,andX.W.Sun*,Up-ConversionDeviceBasedonQuantumDotsWithHigh-ConversionEfficiencyOver6%,IEEEAccess,vol.8,pp.71041-71049,2020.6.用原子层沉积法对量子点荧光微球进行封装FanFang,MengjiaLiu,WeiChen,HongchengYang,YizunLiu,XiangLi,JunjieHao,BingXu,DanWu,KunCao,WeiLei,PeterMüller‐Buschbaum,XiaoWeiSun,RongChen,KaiWang,AtomicLayerDepositionAssistedEncapsulationofQuantumDotLuminescentMicrospherestowardDisplayApplications,AdvancedOpticalMaterials,1902118,(2020).https://doi.org/10.1002/adom.201902118本文由噜噜编辑审核。